北京大学氮化镓基蓝-紫光激光器的研究取得重大突破

    bt365体育宽禁带半导体研究中心研制的氮化镓基激光二极管实现了电注入激射。这是继2004年7月该中心率先在国内获得光泵浦GaN 基激光器受激发射之后所取得的又一重大突破。为在我国实现GaN 基激光器零的突破做出了重要贡献。

    为解决GaN 基激光器的关键性科学和技术问题，bt365体育宽禁带半导体研究中心课题组，在十分困难的实验装备、设施和工艺条件下，注重发扬北京大学“勤奋、严谨、求实、创新”精神，克服重重困难，2004年7月4日率先在国内成功地获得光泵浦的GaN基量子阱激光器受激发射。

    2004年下半年，研究工作进入攻坚阶段，在各方面的帮助下，特别是清华大学纳米中心微加工组的合作攻关下，经各种方案和条件的反复摸索和共同试验，最近又在电注入的GaN基激光器的研制中取得突破性进展，终于在2004年年末制备出了新的氮化镓基激光器芯片，获得氮化镓基脊形波导激光器原型器件的电注入受激发射，在研制出的多数管芯中都可看到受激发射，首次实现了波长为405nm左右的电注入脊型波导GaN基激光二极管的受激发射，是中国大陆实现的波长最短的半导体激光器，这一波段的激光正是用于下一代”蓝光DVD”光盘系统的光源。系统的测试工作正在抓紧进行之中。

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