报告题目：GaInAsSb低维材料与光电器件研究进展

报告人：牛智川 研究员

中科院半导体所

报告地点：物理楼 中212

报告时间：9月25日下午3:10-5:00

联系人：龚旗煌（65884，52882）

摘要：

报告主要介绍新型GaInAsSb半导体低维材料的分子束外延生长、及其光电器件和量子光源器件制备研究的最新进展。采用独创的外延技术突破了低密度、近红外发光的InAs/GaAs自组织量子点材料的生长难题，制备成功液氮温度下电驱动量子点单光子发射器件；通过将InAs量子点埋入纳米线中获得高品质的单光子源；观察到孤立量子点单光子的相干现象。优化设计了InGaAsSb/AlInGaAsSb量子阱结构，实现了2-3.5微米波段中红外量子阱并制备成功室温工作激光器。克服了InAs/GaSb超晶格界面As、Sb互混和应力补偿控制难题，生长出高质量超晶格材料并制备成功中长波红外探测器。